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Si1302DL
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
1.6
60
1.4
1.2
1.0
50
40
C iss
0. 8
V GS = 4.5 V
30
0.6
V GS = 10 V
20
C oss
0.4
0.2
0.0
10
0
C rss
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
0
4
8
12
16
20
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 15 V
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 10 V
8
I D = 0.6 A
1.6
I D = 0.6 A
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0
0. 8
0.6
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
1
0.1
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
T J = 25 °C
1. 8
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
0.0
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 0.6 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71249
S10-2140-Rev. F, 20-Sep-10
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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